ArF/KrF雷射

GIGAPHOTON（USHIO與 KOMATSU的合資公司）於2001年，領先世界完成4kHz量產型ArF準分子(Excimer)雷射的產品化，提供作為半導體曝光裝置用。之後，依序開發出適用於高性能化的ArF準分子(Excimer)雷射 ，有助於GIGABIT世代曝光技術的發展。

此外，KrF準分子(Excimer)雷射作為量產裝置使用，在高性能與高品質與經濟效益上，獲得極高的評價。在質與量二方面，GIGAPHOTON的雷射技術足以因應世界上半導體業者的生產現場。

※本產品是 GIGAPHOTON INC.的產品。

作為適用於N.A. 1.3以上液浸曝光裝置用光源、並配備噴射鎖技術的Arf(氟化氬)準分子(Excimer)雷射（振盪波長為 193 nm、振盪頻率為 6,000 Hz）。

• 實現光譜範圍0.35pm
• 透過雷射室壽命延長，達到降低維修時間，同時並降低成本之目的
• 「網際網路遠距診斷工具」 （以下的雷射產品全部適用於網際網路遠距診斷工具）

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適用於45nm之後技術中心點(node)的6kHz ArF準分子(Excimer)雷射。持續採用噴射鎖式的平台，維持高信賴性與穩定度，實現大幅提升輸出，以及振盪頻率達1.5倍的6,000Hz。

• 60W及6,000 Hz的高輸出與高振盪頻率
• 高信賴性與穩定性
• 配備可提升裝置運轉率的「參數最佳化功能」

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適用於65nm以後技術中心點(node)的4kHzArF準分子(Excimer)雷射。在曝光裝置光源上，採用世界首創噴射鎖技術。可使得狹窄的光譜與高輸出並存，是過去所無法達到。 

• 採用量產機產用產業首創之「噴射鎖技術」
• 減輕光學界的損害，達到業界頂級標準的低運轉成本
• 配備新開發的高度自我診斷功能(self diagnosis)

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適用於100nm以下設計規則的曝光用KrF（氟化氪）準分子(Excimer)雷射（振盪波長為：248nm、振盪頻率為：4,000Hz）。改良過去在產業界，以高性能及高運轉效能獲得好評的4kHz KrF準分子(Excimer)雷射「G40K」系列，達到延長雷射Chamber壽命，並大幅降低運轉成本。

• 最大振盪頻率4kHz（30W/40W）
• 窄頻化的模組，採用適用4kHz的高速促動器，波長穩定性更高。
• 開發並採用可承受量產工廠之4kHz震盪負荷的新模組。
• 採用Chamber特殊電極,提升Chamber壽命。
• 適用網際網路遠距診斷工具

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