MEMS用曝光裝置
配備適用於20mm最大φ8英吋的晶圓,具有最小5微米(MICRON)L/S規格之等倍投影曝光光學系統的曝光裝置。
MEMS用途上,配備具有較深度焦點深度(最大±50微米(MICRON))之USHIO獨特投影鏡頭,最適合對高低差異基板的曝光、及凹凸基板的曝光,甚至壓膜光阻的曝光。此外,亦可透過背面對位(選購配備)對背面曝光。
特徴
較深的焦點深度
高精度校正
採用TTL測光方式。直接使用各個顯微鏡觀察遮罩/工作記號進行校正,因此可執行高精確度校正。
光罩無損害
光罩與作產品完全不接觸,因此不造成損壞,光罩可半永久使用。
抗污垢與殘留異物的構造
可安裝附薄膜的光罩,因此可忽視光罩類型面上的污垢執行曝光。此外,為了在光罩類型面對焦,其構造可抗光罩上的污垢。
簡易維護與操作
因為曝光時無須驅動,一年一次校正即可。操作與選單管理的重現亦完整。
主要用途
- MEMS
- 3D封裝
- 重新接線層的曝光
- 各種電子零件
- 電源裝置
- SU8等壓膜電阻等
洽詢
台北 TEL: (02)2322-4103/ FAX: (02)2394-4140
|
閱覽PDF檔案前,必須先安裝Adobe Reader。 請由此下載Adobe Reader。
|