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MEMS用曝光裝置

配備適用於20mm最大φ8英吋的晶圓，具有最小5微米(MICRON)L/S規格之等倍投影曝光光學系統的曝光裝置。
MEMS用途上，配備具有較深度焦點深度（最大±50微米(MICRON)）之USHIO獨特投影鏡頭，最適合對高低差異基板的曝光、及凹凸基板的曝光，甚至壓膜光阻的曝光。此外，亦可透過背面對位(選購配備)對背面曝光。 

製品写真

特徴

較深的焦點深度

配備具有最大±50μ焦點深度的投影鏡片。

高精度校正

採用TTL測光方式。直接使用各個顯微鏡觀察遮罩/工作記號進行校正，因此可執行高精確度校正。

光罩無損害

光罩與作產品完全不接觸，因此不造成損壞，光罩可半永久使用。

抗污垢與殘留異物的構造

可安裝附薄膜的光罩，因此可忽視光罩類型面上的污垢執行曝光。此外，為了在光罩類型面對焦，其構造可抗光罩上的污垢。

簡易維護與操作

因為曝光時無須驅動，一年一次校正即可。操作與選單管理的重現亦完整。

主要用途

  • MEMS
  • 3D封裝
  • 重新接線層的曝光
  • 各種電子零件
  • 電源裝置
  • SU8等壓膜電阻等

洽詢

台北　TEL: (02)2322-4103/ FAX: (02)2394-4140

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