閃光燈回火

在數毫秒的短時間內放射大光量的脈衝光。僅有照射物表面溫度上升，因此可作熱感應預算較低的處理。

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45nm Node以後的裝置開發，是以零擴散達到擴張活性化上的xj控制。

控制脈衝幅，即可從極淺形成深的接合層。

可做到晶圓全面的整體照射，達成高Throughput。

閃光燈產生的波長與Si的吸收特性吻合，因此可效率良好的升溫。

• 極淺接合形成
• 矽側形成
• 超極薄氧化膜形成
• 強誘體電容的成膜 等

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