移至本頁內容

HOME > 産品資訊 > 從產品一覧中捜尋 > 有關半導體製造 > 晶圓周邊/步進/全面曝光裝置

晶圓周邊/步進/全面曝光裝置

對晶圓的「外圍」曝光、沿著晶片的周邊的「步進」曝光、依用途選擇晶圓「全面」曝光的UV照射裝置。
～φ8吋、～φ12吋的組裝型、以及標準單一型等，提供諮詢服務。

目錄瀏覽　（PDF：5.7MB）
查閱論文

製品写真

特徴

高照度與均勻照度
高精確度曝光
高穿透性
高操作性與清淨搬運
豐富的變化

處理前/處理後

主要用途

周圍曝光

防止缺陷發生
防止膜剝落的電鍍
電極的光阻開口等

步進曝光

防止缺陷發生
防止膜剝落
周圍晶片的塗消
蝕刻時的結束點檢測、以及圖樣比率的控制
CMP的均勻化與切割製程的效率化等

全面曝光

CCD與CMOS影像儀的去色(bleaching)等
重工(Rework)
表面重組等

洽詢

台北　TEL: (02)2322-4103/ FAX: (02)2394-4140

	閱覽PDF檔案前，必須先安裝Adobe Reader。請由此下載Adobe Reader。